GB/T41033-2021:CMOS集成电路抗辐射加固设计要求现行
资源类型:国家标准
发布日期:2021-12-31
实施日期:2022-07-01
废止日期:-
入库日期:2022-02-17
主编单位:中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所
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- 简介
- 目录
GB/T41033-2021
1
1 范围
4
2 规范性引用文件
4
3 术语、定义和缩略语
4
3.1 术语和定义
4
3.2 缩略语
5
4 设计流程
5
5 抗辐射加固设计要求
6
5.1 抗总剂量辐射加固设计原则与要求
6
5.2 抗单粒子辐射加固设计原则与要求
10
6 集成电路辐射效应建模与仿真要求
13
6.1 集成电路辐射效应建模与仿真一般要求
13
6.2 集成电路辐射效应建模与仿真要求
13
6.3 集成电路辐射效应建模与仿真方法
13
7 辐照验证试验要求
14
7.1 总剂量辐照验证试验要求
14
7.2 单粒子辐照验证试验要求
17
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