• GB_T 26218.1-2010
  • 前言
  • I 范围和目的
  • 2 规范性引用文件
  • 3 术语和定义、缩略语
  • 4 建议的绝缘子选择和尺寸确定方法
  • 5 绝缘子选择和尺寸确定的输入参数
  • 6 系统要求
  • 7 环境条件
  • 8 现场污秽度的评定
  • 9 绝缘选择和尺寸确定
  • 附录A (资料性附录) 设计方法流程图
  • 附录B (资料性附录) 污秽闪络机理
  • 附录C (规范性附录) ESDD 和NSDD 的测量
  • 附录D (规范性附录) B 类污秽度的评定
  • 附录E (规范性附录) 试验室试验方法的使用
  • 附录F (规范性附录) 人工污秽试验污秽度和接收准则的非随机法和统计法
  • 附录G (资料性附录) 收集污秽地区绝缘子性能信息的调查表举例
  • 附录H (资料性附录) 形状因数
  • 附录1 (资料性附录) 爬电比距和统一爬电比距(USCD)间的关系
  • 附录J (资料性附录) 本部分章条编号与IEC/TS 60815-1: 2008 章条编号对照
  • 附录K (资料性附录) 本部分与IEC/TS 60815-1 :2008 技术差异及其原因
  • 参考文献