• GB51034-2014
  • 1 总 则
  • 2 术 语
  • 3 基本规定
  • 4 厂址选择及厂区规划
  • 4.1 厂址选择
  • 4.2 厂区规划
  • 5 工艺设计
  • 5.1 一般规定
  • 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
  • 5.3 氯硅烷提纯
  • 5.4 三氯氢硅氢还原
  • 5.5 还原尾气干法回收
  • 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
  • 5.7 分析检测
  • 6 电气及自动化
  • 6.1 电气
  • 6.2 自动化
  • 7 辅助设施
  • 7.1 压缩空气站
  • 7.2 制氮站
  • 7.3 制氢站
  • 7.4 导热油
  • 7.5 纯水制备
  • 7.6 制冷
  • 7.7 蒸汽
  • 8 建筑结构
  • 8.1 一般规定
  • 8.2 主要生产厂房和辅助用房
  • 8.3 防火、防爆
  • 8.4 洁净设计及装修
  • 8.5 防腐蚀
  • 8.6 结构设计
  • 9 给水、排水和消防
  • 9.1 给水
  • 9.2 排水
  • 9.3 废水处理
  • 9.4 循环冷却水系统
  • 9.5 消防
  • 10 采暖、通风与空气调节
  • 10.1 一般规定
  • 10.2 通风
  • 10.3 空气调节与净化
  • 10.4 防排烟
  • 10.5 空调冷热源
  • 11 环境保护、安全和卫生
  • 11.1 环境保护
  • 11.2 安全
  • 11.3 卫生
  • 12 节能、余热回收
  • 12.1 一般规定
  • 12.2 生产工艺
  • 附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距
  • 附录B 地下管线之间的最小水平净距
  • 附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度
  • 本规范用词说明
  • 引用标准名录
  • 附:条文说明
  • 1 总 则
  • 2 术 语
  • 3 基本规定
  • 4 厂址选择及厂区规划
  • 4.1 厂址选择
  • 4.2 厂区规划
  • 5 工艺设计
  • 5.1 一般规定
  • 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
  • 5.3 氯硅烷提纯
  • 5.4 三氯氢硅氢还原
  • 5.5 还原尾气干法回收
  • 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
  • 5.7 分析检测
  • 6 电气及自动化
  • 6.1 电气
  • 6.2 自动化
  • 7 辅助设施
  • 7.1 压缩空气站
  • 7.2 制氮站
  • 7.3 制氢站
  • 7.4 导热油
  • 7.5 纯水制备
  • 7.6 制冷
  • 7.7 蒸汽
  • 8 建筑结构
  • 8.1 一般规定
  • 8.2 主要生产厂房和辅助用房
  • 8.3 防火、防爆
  • 8.4 洁净设计及装修
  • 8.5 防腐蚀
  • 8.6 结构设计
  • 9 给水、排水和消防
  • 9.1 给水
  • 9.2 排水
  • 9.3 废水处理
  • 9.4 循环冷却水系统
  • 9.5 消防
  • 10 采暖、通风与空气调节
  • 10.1 一般规定
  • 10.2 通风
  • 10.3 空气调节与净化
  • 10.4 防排烟
  • 10.5 空调冷热源
  • 11 环境保护、安全和卫生
  • 11.1 环境保护
  • 11.2 安全
  • 11.3 卫生
  • 12 节能、余热回收
  • 12.1 一般规定
  • 12.2 生产工艺