• QXT10.3-2007
  • 1 范围
  • 2 规范性引用文件
  • 3 术语和定义
  • 4 被保护的系统和设备
  • 4.1 被保护的电子系统
  • 4.1.1 模拟信号系统
  • 4.1.2 数字信号系统
  • 4.1.3 视频系统
  • 4.1.4 卫星通信系统
  • 4.2 被保护电子设备的耐受特征
  • 4.2.1 电信网络设备耐冲击过电压额定值
  • 4.2.2 测量、控制和实验室内I/O信号／控制端口抗扰度试验的最低要求
  • 4.2.3 常用电子设备工作电压与SPD额定工作电压的对应关系
  • 5 电涌保护器的主要技术参数
  • 5.1 SPD的分类
  • 5.1.1 按有或无限流元件分类
  • 5.1.2 按不同测试方法分类
  • 5.2 SPD选择和使用时的基本参数
  • 5.2.1 使用条件
  • 5.2.2 Uc、Up、冲击复位时间、Ic和IL
  • 5.3 SPD可能影响网络传输性能的参数
  • 6 风险管理、雷击类型及损害和损失类型
  • 6.1 风险管理
  • 6.1.1 风险分析
  • 6.1.2 风险评估
  • 6.2 耦合方式和雷击类型
  • 6.3 损害和损失类型
  • 7 SPD的选择
  • 7.1 总则
  • 7.2 防雷区与SPD安装位置
  • 7.3 SPD1的选择
  • 7.3.1 雷击类型为S1型时的选择
  • 7.3.2 雷击类型为S2型时的选择
  • 7.3.3 雷击类型为S3型时的选择
  • 7.3.4 雷击类型为S4型时的选择
  • 7.3.5 瞬态源为工频过电压时的选择
  • 7.4 选择SPD2（3，4，...）
  • 7.5 SPD的限制电压与被保护系统的兼容性
  • 8 SPD的使用安装
  • 8.1 单端口SPD连接导线和连接要求
  • 8.1.1 导线要求
  • 8.1.2 连接要求
  • 8.2 多接线端子SPD的连接
  • 8.3 由振荡和行波提出的保护距离Z印
  • 8.4 雷电感应过电压对建筑内部系统的影响
  • 8.5 SPD之间及SPD和被保护设备之间的配合
  • 附录A（资料性附录） 限压元件
  • A.1 限压型元件（箝压元件）
  • A.1.1 金属氧化物压敏电阻（MOV）
  • A.1.2 硅半导体
  • A.1.2.1 正向偏压PN结二极管
  • A.1.2.2　雪崩二极管（ABD，又称抑制二极管）
  • A.1.2.3 齐纳二极管
  • A.1.2.4 穿通二极管
  • A.1.2.5 负反馈二极管（返送二极管）
  • A.2 电压开关型元件
  • A.2.1 气体放电管（GDT）
  • A.2.2 放电间隙（空气间隙）
  • A.2.3 晶体闸流管（TSS） 固定电压型（自控式）
  • A.2.4 晶体闸流管（TSS）——门控式
  • 附录B（资料性附录） 限流元件
  • B.1 电流中断型元件
  • B.1.1 可熔断电阻
  • B.1.1.1 厚膜电阻
  • B.1.1.2 绕线式可熔断电阻
  • B.1.2 熔断器（熔丝）
  • B.1.3 热熔断器
  • B.2 电流降低型元件
  • B.2.1 PTC高分子热敏电阻
  • B.2.2 PTC陶瓷热敏电阻
  • B.2.3 电子限流器
  • B.3 电流分流型元件
  • B.3.1 热熔线圈
  • B.3.2 电流动作型门极品闸管
  • B.3.3 热开关
  • 附录C（资料性附录） 风险管理
  • C.1 由雷电闪击引起的风险
  • C.1.1 风险评估
  • C.1.2 风险分析
  • C.1.3 风险评价
  • C.1.3.1 风险标准
  • C.1.3.2 评价程序
  • C.1.4 风险处理
  • C.2 由于电力线故障的风险
  • C.2.1 交流电源系统
  • C.2.2 直流电源系统
  • 附录D（资料性附录） 与电子系统有关的传输特性
  • D.1 电信系统
  • D.2 信号传输、测量和控制系统
  • D.3 有线电视系统
  • 附录E（资料性附录） SPD之间及SPD与电子设备之间的配合
  • E.1 确定UIN和IIN
  • E.2 确定SPD1的输出保护电压和电流波形
  • E.3 比较SPD1和SPD2的值
  • E.4 通过测试来验证配合的必要性
  • 附录F（资料性附录） 相关符号、英文缩写一览表